Транспортные свойства «одетых» электронов в низкоразмерных системах

Транспортные свойства двумерного электронного газа (2DEG) в наноструктурах, подвергшихся воздействию электромагнитного поля высокой частоты, были изучены в глубоком прошлом и заняли достойное место в учебниках. Тем не менее, основное внимание в предыдущих исследованиях на эту тему было уделено режиму слабой световой материи сцепления. Следуя обычной терминологии квантовой оптики, в этом режиме предполагается, энергетический спектр электронов будет невозмутим фотонами. Соответственно, слабое электрон-фотонное взаимодействие приводит только к электронным переходам между невозмущенными электронными состояниями, которые сопровождаются поглощением и испусканием фотонов. Как следствие, режим слабого электрон-фотонного взаимодействия в твердых телах приводит к фотоэлектрическим эффектов, высокочастотной проводимости и другим известным электронным транспортным явлениям, которые сопровождаются поглощением энергии поля электронами проводимости.